工藝靈活性

PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣相沉積工藝。

預(yù)真空室

SI 500 PPD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的特色是預(yù)真空室和干泵裝置，用于無油、高產(chǎn)量和潔凈的化學(xué)氣相沉積過程。

SENTECH控制軟件

強(qiáng)大的用戶界面友好軟件包括模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝處方編輯窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。

SI 500 PPD代表了的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，用于介質(zhì)膜、非晶硅、碳化硅和其他材料的沉積。它基于平板電容耦合等離子體源，預(yù)真空室，溫控襯底電極，可選的低頻射頻源、全自動(dòng)控制的無油真空系統(tǒng)、的SENTECH控制軟件，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)，以及用戶友好的通用界面來操作SI 500 PPD。

SI 500 PPD等離子沉積設(shè)備，可以加工從大到200毫米直徑的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件，并實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)易切換的過程。

SI 500 PPD等離子增強(qiáng)沉積設(shè)備用于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通過液態(tài)或氣態(tài)前驅(qū)體，SI 500 PPD可以為TEOS, SiC和其它材料的沉積提供解決方案。SI 500 PPD特別適用于化學(xué)氣相沉積用于刻蝕掩膜，鈍化膜，波導(dǎo)及其他的介質(zhì)膜和非晶硅。

SENTECH提供不同級(jí)別的自動(dòng)化程度，從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室或至多六個(gè)工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 PPD也可用作多腔沉積系統(tǒng)中的一個(gè)工藝模塊。