沉積系統介紹

高產量

等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達兩個片盒站組合，用于到200mm晶片的高產量工藝。

研發

三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載。

包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用于三至六個端口。可以使用多達兩個片盒站來增加產量。傳送腔室可以配備多種選擇。

用于研發的SENTECH多腔系統通過圖形用戶界面控制軟件操作。強大的控制軟件可用于工業領域高產量的多腔系統。

CVD技術是建立在化學反應基礎上的,通常把反應物是氣態而生成物之一是固態的反應稱為CVD反應，因此其化學反應體系必須滿足以下三個條件:在沉積溫度下,反應物必須有足夠高的蒸氣壓。若反應物在室溫下全部為氣態,則沉積裝置就比較簡單;若反應物在室溫下揮發很小，則需要加熱使其揮發,有時還需要用運載氣體將其帶人反應室。

應生成物中,除了所需要的沉積物為固態之外,其余物質都必須是氣態。

沉積薄膜的蒸氣壓應足夠低，以保證在沉積反應過程中,沉積的薄膜能夠牢固地附著在具有一定沉積溫度的基片上。基片材料在沉積溫度下的蒸氣壓也必須足夠低。

熱CVD（ThermalCVD）：通過高溫加熱使反應物氣體分解或反應，成薄膜。

利用等離子體來降低反應溫度，提高沉積速率和薄膜質量。

光輔助CVD（Photo-AssistedCVD,PACVD）：利用光能（通常是紫外光）促進化學反應，常用于有機材料的沉積。

激光CVD（LaserCVD,LCVD）：利用激光束引發或促進化學反應，能夠實現局部精細沉積。

金屬有機CVD（Metal-OrganicCVD,MOCVD）：使用金屬有機化合物作為反應物氣體，廣泛用于半導體和光電子器件的制造。

液態源CVD（LiquidPhaseCVD,LPCVD）：使用液態化合物作為反應物，通常需要先將液態化合物氣化。

沉積系統介紹

高產量

等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達兩個片盒站組合，用于到200mm晶片的高產量工藝。

研發

三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載。

包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用于三至六個端口。可以使用多達兩個片盒站來增加產量。傳送腔室可以配備多種選擇。

用于研發的SENTECH多腔系統通過圖形用戶界面控制軟件操作。強大的控制軟件可用于工業領域高產量的多腔系統。

CVD技術是建立在化學反應基礎上的,通常把反應物是氣態而生成物之一是固態的反應稱為CVD反應，因此其化學反應體系必須滿足以下三個條件:

在沉積溫度下,反應物必須有足夠高的蒸氣壓。若反應物在室溫下全部為氣態,則沉積裝置就比較簡單;若反應物在室溫下揮發很小，則需要加熱使其揮發,有時還需要用運載氣體將其帶人反應室。

反應生成物中,除了所需要的沉積物為固態之外,其余物質都必須是氣態。

沉積薄膜的蒸氣壓應足夠低，以保證在沉積反應過程中,沉積的薄膜能夠牢固地附著在具有一定沉積溫度的基片上。基片材料在沉積溫度下的蒸氣壓也必須足夠低。

熱CVD（ThermalCVD）：通過高溫加熱使反應物氣體分解或反應，形成薄膜。

利用等離子體來降低反應溫度，提高沉積速率和薄膜質量。

光輔助CVD（Photo-AssistedCVD,PACVD）：利用光能（通常是紫外光）促進化學反應，常用于有機材料的沉積。

激光CVD（LaserCVD,LCVD）：利用激光束引發或促進化學反應，能夠實現局部精細沉積。

金屬有機CVD（Metal-OrganicCVD,MOCVD）：使用金屬有機化合物作為反應物氣體，廣泛用于半導體和光電子器件的制造。氣態源CVD（VaporPhaseCVD,VPCVD）：使用氣態化合物作為反應物。液態源CVD（LiquidPhaseCVD,LPCVD）：使用液態化合物作為反應物，通常需要先將液態化合物氣化。