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森泰克刻蝕機Etchlab 200 適用于氟基氣體以及氧氣、氬 氣等工藝氣體，具有非常高的工藝穩定性和 重復性。升級增加預真空室后，可使用氯基 氣體、完成金屬、化合物半導體等的干法刻 蝕工藝。下電極適用于從4吋到8吋直徑的晶 圓片（更小的樣片可采用載片器進樣）。

森泰克感應耦合等離子刻蝕機SI 500干法刻蝕系統廣泛應用于半導體制造、微納加工、MEMS制造等領域。它可以用于刻蝕多種材料，包括但不限于三五族化合物半導體（如GaAs、InP、GaN、InSb）、介質、石英、玻璃、硅和硅化合物（如SiC、SiGe）以及金屬等。

簡要描述：原子層蝕刻設備是一種的蝕刻技術，可精準的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進一步減小，需要進一步的使用ALE才能達到其所需的精度。

簡要描述：感應耦合電漿蝕刻是在標準反應離子蝕刻（RIE）的基礎上，添加電感耦合電漿的。感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產生更多的離子和電子。

簡要描述：反應離子蝕刻設備機器中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

簡要描述：RIE等離子刻蝕機SI 591：預真空室和計算機控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優異的工藝再現性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是SI 591的設計特點。樣品直徑大可達200mm，通過載片器加載。SI 591可以配置為穿墻式操作或具有更多選項的小占地面積操作。

簡要描述等離子蝕刻機Etchlab 200根據其模塊化設計，可升級為更大的真空泵組，預真空室和更多的氣路。

簡要描述：等離子刻蝕機由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機SI 500進行低損傷刻蝕和納米結構的刻蝕。

簡要描述：深硅刻蝕機三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能，非常適用于加工各種材料和結構。

簡要描述：反應離子刻蝕機我們的等離子蝕刻設備包括用功能強大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數窗口，工藝窗口，數據記錄和用戶管理。