主要基于等離子體的產生和應用，其詳細原理可以歸納如下：### 一、等離子體產生* **氣體引入與電離**：在Etchlab 200等離子蝕刻機中，首先會向真空室內引入適量的氣體（如氧氣、氟氣等），這些氣體在高頻電場的作用下被電離，形成等離子體。等離子體是由部分離化的中性氣體組成，其中包含離子、電子、原子和活性基團等“活性"組分。* **加速過程**：產生的等離子體隨后被加速器加速，使其具有足夠的能量來撞擊材料表面。### 二、刻蝕過程* **物理刻蝕**：加速后的等離子體以高速撞擊材料表面，通過物理碰撞將表面的原子或分子擊出，這個過程稱為物理刻蝕。* **化學刻蝕**：同時，等離子體中的活性組分（如離子、自由基等）與材料表面發生化學反應，進一步促進刻蝕過程。這些化學反應可能包括氧化、還原、置換等，具體取決于所使用的氣體種類和材料性質。### 三、刻蝕產物移除* 刻蝕過程中產生的產物會附著在材料表面，為了保持刻蝕的連續性和精度，需要將這些產物及時移除。Etchlab 200等離子蝕刻機通過引入適量的氣體（如惰性氣體）與刻蝕產物反應，形成易揮發的化合物，從而將刻蝕產物帶走。### 四、控制系統* Etchlab 200等離子蝕刻機配備了先進的控制系統，可以調整等離子體的能量、氣體流量等參數，以精確控制刻蝕過程的速率和精度。此外，該系統還具備模擬圖形用戶界面、參數窗口、工藝編輯窗口等功能，方便用戶進行工藝設置和監控。### 五、應用特點* **高精度**：由于等離子體的高能量和精確控制，Etchlab 200能夠實現高精度的微細結構制造和加工