等離子增強化學氣相沉積(PECVD)設備

開蓋載片

適用于大到200mm的晶片

襯底溫度可高達400?°C

可選低頻射頻降低應力

干泵組

占地面積小

PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）等離子沉積設備是一種先進的材料表面處理技術，廣泛應用于半導體制造、光伏產業、防護涂層及生物醫學等多個領域。該技術通過利用等離子體的能量激活化學反應，在基材表面沉積出具有特定性能的薄膜，具有低溫過程、高附著力和均勻性、優異的覆蓋能力以及環境友好等顯著特點。以下是對PECVD等離子沉積設備的詳細產品介紹。### 一、技術原理PECVD技術結合了等離子體物理與化學氣相沉積的優勢，通過射頻等手段使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體。等離子體中的高能電子、離子和自由基等活性粒子與氣體分子發生碰撞，促進化學反應的進行，從而在基材表面沉積出所需的薄膜。這一過程不僅降低了沉積溫度，還提高了沉積速率和薄膜質量。### 二、設備特點1. **高真空系統**：PECVD設備通常配備有高真空系統，由雙級旋片真空泵和分子泵組成，以確保反應腔體內的高真空度，有利于減少雜質干擾，提高薄膜質量。2. **精確的氣體控制系統**：設備采用數字質量流量控制系統，由多路質量流量計、流量顯示儀等組成，實現對氣體流量的精確測量和控制。同時，每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統的安全性和連續均勻性。3. **模塊化設計**：PECVD設備往往采用模塊化設計，便于根據實際需求進行升級和擴展。例如，可以升級為更大的真空泵組、低頻射頻源和更多的氣路，以滿足不同工藝的需求。4. **先進的控制系統**：設備配備有先進的控制軟件，通過遠程現場總線技術和用戶友好的圖形用戶界面，實現對工藝參數的精確控制和實時監控。用戶可以通過參數窗口、工藝處方編輯窗口等功能，輕松設置和調整工藝參數。5. **廣泛的適用性**：PECVD設備適用于多種材料的薄膜沉積，包括氧化硅、氮化硅、碳膜等。同時，其優異的覆蓋能力使得該技術能夠實現對復雜形狀基材的均勻涂覆。### 三、應用領域1. **半導體制造**：在半導體設備生產中，PECVD技術用于沉積氧化硅、氮化硅等介電層，這些層是制造現代集成電路。通過精確控制薄膜的厚度和均勻性，PECVD技術有助于提高半導體器件的性能和可靠性。2. **光伏產業**：PECVD被廣泛應用于太陽能板的生產過程中，特別是在沉積硅薄膜和透明導電氧化物（TCO）層方面。